上一年三星在SEDEX 2022上，就介绍了一种称为“BSPDN（反面供电网络）”的技能，用于未来的2nm芯片上。据称，2nm工艺使用BSPDN，经过后端互联规划和逻辑优化，能处理FSPDN形成的前端布线%。
据The Elec报导，三星最近在VLSI研讨会上，发布了最新的BSPDN研究成果。三星还解说了BSPDN怎么样进步电能的利用率，并处理互联瓶颈和本钱等问题，一起还有BSPDN所面对的技能应战，比方拉伸应力会导致金属层与TSV电极（硅通孔）别离，需求下降TSV的高度或加宽其宽度来处理这一问题。
三星表明，BSPDN比较FSPDN（前端供电网络）的面积减小了14.8%，具体来说，三星在两个Arm电路中别离完成了10.6%和19%的面积减缩，以及缩短了9.2%的布线长度。面积减小的优点是，有更多的空间增加晶体管，来提高全体功能。布线长度缩短可以更好的下降电阻，答应更大的电流经过，削减了功率的丢失，然后改进功率传输。新的BSPDN办法还没有被三星的晶圆代工厂所选用，且三星也并非第一个开发反面供电技能的企业，不过是第一个揭露立异办法成果。
近期英特尔也介绍了开发中的PowerVia技能，计划在Intel 20A制程节点初次引进。这是英特尔独有的、业界首个反面供电网络，经过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。依照英特尔的说法，反面供电可以让晶体管供电的途径变得很直接，可以大大削减信号串扰，下降功耗，将渠道电压下降优化30%。另一方面，反面供电处理了晶体管尺度不断缩小带来的互连瓶颈，完成了6%的频率增益和超越90%的标准单元利用率。
