可变电阻式ReRAM作为新的存储技能，从研制到商用总是要历经绵长的困难崎岖。其实，美光早在2007年就提出了这种技能，尔后简直年年都会泄漏一些发展，但便是间隔量产也没有给出详细时间表。
美光可变电阻式ReRAM是和索尼联合研制的其根底原理和CrossbarRRAM有些相似，相同对错易失性存储，可是更着重电阻可变，一起为了区别，缩写也有所不同。
美光这次在IEEEIEDM2014世界电子设备大会上上发布的原型采用了27nmCMOS工艺制作，三层铜线平方毫米。作为原型，它采用了DDR内存接口，但后期很简单替换。
美光表明，抱负的目标是读写带宽1000MB/s、200MB/s，读写推迟2微秒、10微秒，而现在的原型能发挥大约九成的功力。
