这一次，富昌分析师团队给出了更多关于涨价与货期延长的警示与建议，同时，也提示警醒我们注意，“
根据《富昌电子市场行情报告——2017年第2季度》提示，存储器模块方面，DDR3和DDR4模块的价格相比2016年第4季度上涨约40% - 50%。且由于DDR3和DDR4模块缺货，货期普遍延长。
同样受灾严重的还有，NOR闪存、NAND闪存，与上一季度相比，成本价格普遍上涨10 - 15%，且货期趋势继续延长。
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其中，赛普拉斯宣布其SLC NAND产品缺货。Macronix货期延长至16周。
PC(商用)DRAM中，DDR3和DDR4产品价格将在2季度持续上涨。取决于不同的供应商，货期增加约2-4周。Micron的DDR3产品缺货。移动DRAM的需求量开始上涨，短期内成本将继续上涨。
随着过渡到3D NAND，用来制造存储卡和eMMC的MLC和TLC NAND的成本大面积上涨，有些产品成本上涨达80%以上，货期普遍延长。
根据《富昌电子市场行情报告——2017年第2季度》提示，分立器件中Mosfet的货期大规模延长，部分价格上浮，IGBT则相对稳定。
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其中，Fairchild(Onsemi)的低压Mosfet由于Fab 工厂转移和晶粒出现一些明显的异常问题，任旧存在交货问题，大多数问题都出在较小封装（Sot-23，Sc-70）和汽车器件上，Fairchild和ON Semiconductor将合并系统，因此我们预计会有进一步的货期问题。
Infineon提供极具竞争力的30V和更低电压产品，尤其是QFN5×6、3×3封装。Optimos5新产品采用12寸薄晶圆。收购IR后可提供丰富的中等电压产品(40-200V)。但是，其传统IR器件定价一直上涨。汽车器件交货时间为20+周，无引脚封装器件的货期延长。
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在去年12月，Diodes位于KFAB的工厂遭受了火灾。此地点的生产暂停2个月。虽然该工厂在1月底恢复生产，但目前仍然有货期问题。
受R-Chip产能问题影响，罗姆的固定电阻器、电阻网络产品缺货。钽电容部分货期延长，陶瓷电容部分货期延长。
令人欣慰的是，目前已有两大市场分析机构IC Insights和Gartner纷纷提出价格预警，认为下半年这种涨价的局面会有所改观。
IC Insights指出，DRAM价格自2016年中以来快速走高，DRAM平均售价自2016年4月大幅攀高到今年2月，涨幅高达54%。
但IC Insights对DRAM的后市提出示警，预计下半年随着供给增加，产品价格恐将下滑，DRAM 市场无可避免将展开周期性修正。
Gartner则表示，自2016年中期以来，PC内存的价格已经翻了一倍，4GB单条售价从12.5美元涨到了25美元，而随着NAND闪存芯片涨价，SSD的每千兆字节的成本也出现了惊人上涨。
不过，这种涨价势头将在本季度达到顶峰。Gartner预测，全球内存和SSD的价格会在2018年出现明显回落，并将于2019年重新陷入一个相对“冰点”。
除却周期性调整，我们也看到，在半导体原厂一系列的合并整合之后，已有一些公司整装待发，采取积极的定价策略来重新争夺市场占有率，这些无疑对市场恢复并走向新的平衡期有所助益。
如恩智浦剥离逻辑部门，在2017年1月成立Nexperia，在大型项目上积极争取市场占有率。所以有一定的降价。Diodes也在逻辑器件上采取更积极的定价。
同样是在低压Mosfet市场，Vishay/Siliconix从5＆6英寸晶圆厂转型成8英寸晶圆厂。新产品价格有优势，货期也有改进，提供大量P-沟道产品。
作为IGBT的全球领导者，Infineon与IR合并后，拥有了最丰富的大功率和低功率IGBT。
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