10月9日，《新能源汽车产业规划》（以下简称《规划》）在国务院常务会议上正式通过，该《规划》的出台开启了新能源汽车产业高质量发展新热潮，作为新能源汽车核心的IGBT也受到了更多的关注。
IGBT，英文全称Insulated Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极型晶体管，是一种新型电力电子器件，也是实现将高压转换成低压、低压转换成高压的必不可少的器件。
对于新能源汽车来说，由于新能源汽车需要将低压电转换成高压电，逆变器是实现这一目标的关键器件，而IGBT单元又是逆变器和驱动电路的核心，IGBT相当于新能源汽车核心的核心。
从国内市场来看，虽然目前IGBT器件主要由欧洲、美国、日本等地区或国家的厂商提供，且占据了大约 70%的市场占有率，但由于中国庞大的功率半导体需求量，国内厂商发展仍具有自身优势。
东兴证券多个方面数据显示，全球IGBT 市场成长迅速，年复合增长率维持在7%-9%之间，中国成为IGBT 需求上升最快的国家之一。
此外，仅考虑车规级IGBT市场，招银国际预计2020年中国IGBT市场规模将达到28亿元，到2025年将达到183亿元。
从产业链看，IGBT产业链可大致分为四部分，分别为芯片设计、芯片制造、模块设计以及制造封测。其中，IGBT器件设计及制造存在IDM模式和Fabless模式。目前不少国内IDM厂商也持续在该领域展开布局，并取得了不错成效。
株洲中车时代：作为中车时代电气股份有限公司下属全资子公司，是一家同时掌握大功率晶闸管、IGCT、IGBT及SiC器件及其组件技术的IDM（集成设计制造）模式企业，拥有芯片—模块—装置—系统完整产业链。
从发展历程上看，株洲中车时代很早以前就慢慢的开始了IGBT的研发。2009年，株洲中车时代6英寸器件生产线、国内首条高压IGBT模块封装线英寸IGBT产业化基地调试运行；2014年，IGBT产业化基地建成投产，实现IGBT芯片国产化；2017年，株洲中车时代IGBT进入汽车领域。
今年9月，中车株洲所汽车及工业用新一代功率半导体项目成果汇报会在湖南株洲召开，项目首批产品正式下线。该生产线万片中低压IGBT的产能，预计可满足240万台新能源汽车的需求。
比亚迪半导体：是比亚迪集团旗下的独立子公司，2020年4月，由“深圳比亚迪微电子”正式更名为“比亚迪半导体”，是国内第一家自主研发、生产车用IGBT芯片并成功大批量应用的IDM企业，其业务涵盖封装材料、芯片设计、封装、测试及应用全产业链。自2005年，比亚迪就布局IGBT产业。2009年9月，比亚迪半导体自研的IGBT 1.0芯片成功通过中国电器工业协会电力电子分会组织的科技成果鉴定。
2012年，IGBT 2.0芯片问世，基于这款芯片，比亚迪成功打造出了车规级IGBT模块。2015年，该芯片升级为2.5版本。
2018年，比亚迪半导体成功研发出全新的车规级产品IGBT 4.0芯片，成为车规级IGBT的标杆。
今年4月，总投资10亿元的比亚迪IGBT项目在长沙正式动工，据悉，该项目设计年产25万片8英寸晶圆的生产线万辆新能源汽车的产能需求。
据当时新闻媒体报道，比亚迪IGBT芯片晶圆的产能已达到5万片/月，预计2021年可达到10万片/月，一年可供应120万辆新能源车，也就是相当于2019年新能源汽车销量的总数。
士兰微电子：是一家集成电路芯片设计与制造一体（IDM）的企业，公司产品有：分立器件、IGBT及其他功率模块、IPM智能功率模块等。2019年，士兰微电子推出了应用于家用电磁炉的1350VRC-IGBT系列新产品，该系列产品是基于士兰微电子独立自主开发的第三代场截止（Field-StopIII）工艺平台，实现在场截止型IGBT器件内部集成了续流二极管结构。
据集微网今年2月消息，士兰微的IGBT器件已经推进到第五代Field-Stop工艺，采用了业内领先的Narrow mesa元胞设计，将器件的功率密度较上一代产品提升了30%，最大单芯片电流提升至270A。
华微电子：是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的高新技术企业。2019年3月，华微电子发布了重要的公告称，公司拟向全体股东按照每10股配售3股的比例配售A股股份，配股价格为3.90元/股。据披露，本次募资的净额拟全部用于新型电力电子器件基地项目（二期）的建设，该项目产品有重点应用于工业传动、消费电子等领域，形成600V-1700V各种电压、电流等级的IGBT芯片；同时包括应用于各领域的具有成熟产业化技术的MOSFET芯片；以及与公司主流产品配套的IC芯片。
此外，今年年初，吉林省商务厅发布了《吉林市华微电子股份有限公司半导体产业园项目》，项目说明，华微电子将投资102亿在吉林省吉林市建设半导体产业园。
公开内容显示，半导体产业园项目由吉林华微电子股份有限公司现有厂区（30万平米用地）和高新北区（80万平方米用地）组成：华微电子作为产业园芯片生产基地，主要进行4、5、6、8英寸外延片、SiC外延片、IGBT、MOSFET等芯片生产制造。
华润微：属于华润集团，是一家拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化运营能力的半导体企业。据了解，华润微IGBT产品主要使用在为逆变焊机、感应加热、UPS、逆变器、变频器、电机驱动、工业电源等。
2017年11月，国务院国资委批复同意将中航航空电子系统有限责任公司所持中航（重庆）微电子有限公司的股权划转给华润微电子，中航（重庆）微电子正式并入华润微电子。
中航（重庆）微电子前身为成立于2007年的渝德科技（重庆）有限公司，公司基本的产品包括：高可靠性的高压MOS和IGBT功率器件等。
在此背景下，去年12月28日，华润微电子（重庆）有限公司正式揭牌成立。根据签约，华润微电子（重庆）有限公司成立后，将设立国家级功率半导体研发中心、建设国内最大的功率半导体制造中心，同时完善上下游产业链等。协议的签署，不仅能将晶圆制造升级扩产，还将带来从原材料制造、IC设计到封装测试的完整产业链条，带动重庆集成电路产业基地升级。
2018年11月，华润微电子与重庆西永微电园公司签署协议，华润微电子将在重庆西永微电园投资约100亿元建设12英寸功率半导体晶圆生产线，主要生产MOSFET、IGBT、电源管理芯片等功率半导体产品。
今年10月，对于投资者提出的“华润微的IGBT是否在自己的产线英寸线上生产？”华润微表示，公司IGBT芯片研发和生产是独立自主的，目前主要是6英寸产线英寸产线转移。
关键字：IGBT引用地址：国内IGBT需求急速上升，中国IDM厂商怎样抢占先机
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出为软开关应用，比如电动车和混合动力汽车中的正温度系数（PTC）加热器应用而优化的车用 IGBT AUIRGDC0250。 1200V AUIRGDC0250 采用紧凑的 Super TO-220 封装，低 VCE(on) 可让该器件降低功耗并实现更高的功率密度，正 VCE(on) 温度系数则使其更适合并联。此外，AUIRGDC0250 还提供经过优化的方形反向偏压安全操作区 (RBSOA)。AUIRGDC0250 的软开关特性使其成为帮助客户符合系统级 EMI 规范的理想选择。 IR 亚太区销售副总裁潘
0 引言 随着电力电子技术朝着大功率、高频化、模块化发展，绝缘栅双极品体管(IGBT)已大范围的应用于开关电源、变频器、电机控制以及要求快速、低损耗的领域中。IGBT是复合全控型电压驱动式电力电子器件，兼有MOSFET和GTR的优点：输入阻抗高，驱动功率小，通态压降小，工作频率高和动态响应快。目前，市场上500~3000V，800～l800A的IGBT，因其耐高压、功率大的特性，已成为大功率开关电源等电力电子装置的首选功率器件。 1 驱动保护电路的原则 由于是电压控制型器件，因此只要控制ICBT的栅极电压就可以使其开通或关断，并且开通时维持比较低的通态压降。研究表明，IGBT的安全工作区和开关特性随驱动电路的改变而变化。因此，为
一、 IGBT 的简单介绍 绝缘栅双极型晶体管(简称“IGBT”)是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了愈来愈普遍的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若 IGBT 的栅极和发射极之间电压为0V,则M
发展逆变器技术是太阳能应用提出的要求，本文介绍了太阳能逆变器的原理及架构，着重介绍了IGBT和MOSFET技术，实现智能控制是发展太阳能逆变器技术的关键。 一、太阳能对逆变器的要求 通过太阳能光伏技术将太阳辐射转换成电能是现在市面上最有效也是最具发展的潜在能力的可再次生产的能源技术。现在，普通太阳能光伏系统都是由许多紧密相连的太阳能电池板组成。这些电池板先分组串联，再将不同的串联电池组并联起来形成电池阵列。 目前我国光伏发电系统主要是直流系统，即将太阳电池发出的电能给 蓄电池 充电，而蓄电池直接给负载供电，如我国西北地区使用较多的太阳能户用照明系统和远离电网的微波站供电系统均为直流系统。此类系统结构相对比较简单，成本低廉，但由于
和MOSFET技术解析 /
东芝最新款分立IGBT将大幅度提高空调和工业设施的效率 中国上海，2023年3月9日—— 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出一款用在空调和工业设施大型电源的功率因数校正（PFC）电路 的650V分立IGBT---“GT30J65MRB” 。该产品于今日开始支持批量出货。 功率半导体器件经过业界验证，对于节能工作意义重大，这中间还包括助力实现碳中和目标。由于在高功率的工业设施和家用电器中，例如变频器在空调中的应用越来越普遍，以及工业设施的大型电源需要降低功耗，因此对高效率开关器件的需求也在增长。这催生了对于PFC电路中低损耗开关器件和更高开关频率的需求。 东芝在其新款IGBT中引入了最新的工艺。 优化
将大幅提高空调和工业设施的效率 /
英飞凌采用具有新额定电流的IGBT7以增强1200 V EconoDUAL™ 3产品组合，灵活满足更高的功率密度和性能 【2021年9月7日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司为其采用TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的EconoDUAL™ 3产品组合推出新的额定电流。借助从300A到900A的广泛电流等级，该产品组合为逆变器设计者提供了高度的灵活性，同时也提供了更高的功率密度和性能。除了太阳能和驱动应用外，该产品组合还为商用、建筑和农用车辆（CAV）以及不间断电源（UPS）逆变器量身定做。 基于新的微沟槽技术，与采用IGBT4芯片组的模块相比，采用TRENCHSTOP IGBT7芯片的EconoDUAL 3的静态损耗低
摘要：介绍了一种新型高性能高压IGBT集成驱动模块2SD315AI-33的管脚功能和工作原理，同时还给出了该模块与同种类型的产品相比的显著性能特点，介绍了2SD315AI-33在“双逆变器－电机”能量互馈式交流传动试验系统中的应用方法，讨论了在实际应用中的需要注意的几点。 关键词：IGBT 驱动模块 2SD315AI-33 逆变器 ２ＳＤ３１５ＡＩ－３３是瑞士ＣＯＮＣＥＰＴ公司专为３３００Ｖ高压ＩＧＢＴ的可靠工作和安全运作而设计的驱动模块，它以专用芯片组为基础，外加必需的其它元件组成。该模块采用脉冲变压器隔离方式，能同时驱动两个ＩＧＢＴ 模块，可提供%26;#177;１５Ｖ的驱动电压和%26;#177;１５Ａ的峰值电流，具有准确可靠的驱动
在全球的绿色能源发展的新趋势下，慢慢的变多的家用电器、照明设备、电动工具、不间断电源系统(UPS)以及别的工业设备开始采用太阳能供电，将太阳能量转换为所需的交流(AC)或直流(DC)电压。 为高效率地产生这些设备所需的电压和电流，电源逆变器需要正确地组合控制器、驱动器和输出功率器件。本文讨论的这款直流到交流逆变器设计，专对于500W功率、120V和60Hz频率的单相正弦波输出进行了优化。这个设计的200V直流输入可以由与太阳能阵列电池板相连的DC/DC电压转换器产生。 针对这类应用有各种先进的功率器件能够正常的使用，比如MOSFET、双极结晶体管(BJT)和IGBT。然而，为取得最佳的转换效率和性能，为这种太阳能逆变器选择
作为功率开关的500W太阳能逆变器设计 /
的几种驱动电路的分析
电动汽车电池管理系统（BMS）simulink完整模型（含SOC、主动均衡等算法）
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