压敏电阻是中国大陆的名词，意思是在必定电流电压范围内电阻值随电压而变，或者是说电阻值对电压灵敏的阻器。相应的英文名称叫“Voltage Dependent Resistor”简写为“VDR”。
压敏电阻器的电阻体资料是半导体，所以它是半导体电阻器的一个种类。现在很多运用的氧化锌(ZnO)压敏电阻器，它的主体资料有二价元素(Zn)和六价元素氧(O)所构成。所以从资料的视点来看，是一种“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体”。
在中国台湾，压敏电阻器是按其用处来命名的，称为突波吸收器。压敏电阻器按其用处有时也称为“电冲击(浪涌)抑制器(吸收器)”。
氧化锌压敏电阻器是一种以氧化锌为主体、增加多种金属氧化物、经典型的电子陶瓷工艺制成的多晶半导体陶瓷元件。它的微观结构如图1所示。氧化锌陶瓷是由氧化锌晶粒及晶界物质组成的，其间氧化锌晶粒中掺有施主杂质而呈N型半导体，晶界物质中含有很多金属氧化物构成很多界面态，这样每一微观单元是一个背靠背肖特基势垒，整个陶瓷便是由许多背靠背肖特基垫垒串并联的组合体。图2是压敏电阻器的等效电路。
预击穿区：在此区域内，施加于压敏电阻器两头的电压小于其压敏电压，其导电归于热激起电子电导机理。因而，压敏电阻器适当于一个10M以上的绝缘电阻 (Rb远大于Rg)，这时经过压敏电阻器的阻性电流仅为微安级，可看作为开路。该区域是电路正常运行时压敏电阻器所在的状况。
击穿区：压敏电阻器两头施加一大于压敏电压的过电压时，其导电归于地道击穿电子电导机理(Rb与Rg适当)，其伏安特性呈优异的非线性电导特性，即：
