，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器材, 兼有（MOSFET）金氧半场效
GTR饱满压下降，载流密度大，但驱动电流比较大；（由于Vbe=0.7V,而Ic能够很大（跟PN结资料和厚度有关））MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。（由于MOS管有Rds，假如Ids比较大，就会导致Vds很大）
IGBT归纳了以上两种器材的长处，驱动功率小而饱满压下降。很适宜应用于直流电压为600V及以上的变流体系如沟通电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等范畴。
IGBT最主要的效果便是把高压直流变为沟通，以及变频（所以用在电动车上比较多）。
IGBT有N沟道型和P沟道型两种，干流的N沟道IGBT的电路图符号及其等效电路如下：
当栅极G为高电平时，NMOS导通，所以PNP的CE也导通，电流从CE流过。
IGBT与MOSFET不同，内部没有寄生的反向二极管，因此在实际运用中(理性负载)需求调配恰当的快康复二极管。
3、能够运用十分低的电压切换十分高的电流。4、电压操控设备，即它没有输入电流和低输入损耗。
6、经过施加正电压能够很容易地翻开它，经过施加零电压或略微负电压能够很容易地封闭它。
9、具有比 BJT 和 MOS 管更高的功率增益。10、具有比 BJT 更高的开关速度。
1、集电极-发射极标称电压UCES是IGBT在截止状况下集电极与发射极之间可接受的最大电压，一般UCES小于或等于器材的雪崩击穿电压。
2、栅极-发射极标称电压UGE是IGBT栅极与发射极之间答应施加的最大电压，一般为20V。栅极的电压信号操控IGBT的导通和关断，其电压不行超越UGE。
3、集电极额外电流IC是IGBT在饱满导通状况下，答应持续经过的最大电流。
4、集电极-发射极饱满电压UCE是IGBT在饱满导通状况下，集电极与发射极之间的电压降。该值越小，则管子的功率损耗越小。
5、开关频率在IGBT的运用说明书里边，开关频率是以注册时刻tON、下降时刻t1和关断时刻tOFF给出的，根据这一些参数可估算出IGBT的开关频率，一般可达30～40kHz。在变频器中，实际运用的载波频率大多在15kHz以下。
IGBT静态特性曲线包含搬运特性曲线和输出特性曲线：其间左边用于标明IC-VGE联系的曲线叫做搬运特性曲线，右侧标明IC-VCE联系的曲线叫做输出特性曲线、搬运特性曲线
IGBT的搬运特性曲线是指输出集电极电流IC与栅极-发射极电压VGE之间的联系曲线。
这儿MOSFET的栅源电压VGS类似于IGBT的栅射电压VGE，漏极电流ID类似于IGBT的集电极电流IC。IGBT中，当VGE≥VGE（th）时，IGBT标明发生沟道，器材导通。
其间当VDS0且较小时，ID跟着VDS的增大而增大，这部分区域在MOSFET中称为可变电阻区，在IGBT中称为非饱满区；
当VDS持续增大，ID-VDS的斜率逐步减小为0时，该部分区域在MOSFET中称为恒流区，在IGBT中称为饱满区；
这主要是由于IGBT在导通初期，发射极P+/N-结需求约为0.7V的电压降使得该结从零偏转变为正偏所导致的。
2、IGBT额外电流的挑选以30kW变频器为例，负载电流约为79A，由于负载电气发动或加快时，电流过载，一般要求1分钟的时刻内，接受1.5倍的过流，择最大负载电流约为119A ，主张挑选150A电流等级的IGBT。
（1）栅电压IGBT作业时，必须有正向栅电压，常用的栅驱动电压值为15～187，最高用到20V， 而棚电压与栅极电阻Rg有很大联系，在规划IGBT驱动电路时， 参阅IGBT Datasheet中的额外Rg值，规划适宜驱动参数，确保合理正向栅电压。由于IGBT的作业状况与正向棚电压有很大联系，正向栅电压越高，注册损耗越小，正向压降也咯小。
