集微网音讯，天眼查显现，中芯世界“半导体结构及其构成办法”专利获授权，授权公告日为5月23日，授权公告号为CN112017949B。
据悉，专利人为中芯世界集成电路制作（上海）有限公司、中芯世界集成电路制作（北京）有限公司。
专利摘要显现，一种半导体结构及其构成办法，构成办法有：供给基底，震动多个晶体管区以及电阻区，晶体管区基底上构成有伪栅结构，电阻区基底上构成有电阻器结构，伪栅结构和电阻器结构显露的基底上构成有层间介质层；构成掩盖层间介质层、伪栅结构和电阻器结构的硬掩膜层；进行至少一次栅极替换工艺，震动：刻蚀硬掩膜层，显露待去除的伪栅结构；以剩下硬掩膜层为掩膜去除显露的伪栅结构，在层间介质层内构成开口；在开口中构成掩盖硬掩膜层的栅极资料层；以硬掩膜层顶面为中止方位，对栅极资料层进行平整化处理；在栅极替换工艺后，去除剩下硬掩膜层；去除高于层间介质层顶面的剩下栅极资料层，构成栅极结构。
